氧化铟在气敏材料的应用-行业资讯-铋粒|碲粉|铟箔|低熔点镓铟合金_三氧化二铋_高纯金属锗-长沙盛特新材料有限公司

氧化铟在气敏材料的应用

发布时间:2021-08-05

 氧化铟是一种重要的n型半导体,其直接能带隙为3.55~3.75ev, 间接能带隙为2.5ev,具有较宽的禁带宽度,较小的电阻率和较高的催化活性,被广泛应用于光催化,传感器,发光二极管等领域。三氧化二铟对许多氧化或还原性气体表现出敏感性,相对于SnO2,ZnO,Fe2O3等气敏材料,在某些方面甚至具有更佳的性能。气体传感器是纳米材料可利用的最有前途的领域之一,它的核心材料就是气敏材料。纳米材料具有常规不具备的独特的性质,表现出奇异的力学,电学,光学,磁学,热学,化学性活性,超导性能等特性。其在国防,电子,化工,冶金,轻工,航空,陶瓷,核技术,催化剂,医药等领域具有重要的应用价值。将纳米技术应用到气敏材料的制备,能够极大地改进气体传感器的性能。

    材料的结构决定了材料的性能,而不同的合成方法可以制备不同结构形貌的材料。近年来,人们对氧化铟纳米材料的制备和性能研究已经取得了一些进展。研究者通过多种物理和化学方法制备出氧化铟材料的各种纳米结构,目前氧化铟多采用液相法来制备。常用的制备纳米材料的方法,如共沉淀法,均匀沉淀法,无机盐分解法,金属醇盐水解法。水热法,溶剂热法,溶胶凝胶法,微乳液法等等,也都可以用来合成氧化铟纳米材料。

氧化铟.png

氧化铟生产加工厂家-长沙盛特生产高纯度的铟箔等。您有兴趣的话可以在线给我们留言或者致电,谢谢!


电话咨询 盛特邮箱 盛特微信 盛特QQ 回到顶部