化合物/靶材
   化合物/靶材
碲化铋粉
碲化铋粉

碲化铋粉

分子式 Bi2Te3
分子量 800.76
纯度 99.99%、99.999%
粒度 100、200、325目
熔点 585℃
掺杂 P型掺杂锑Sb,N型掺杂硒Se
CAS No. 1304-82-1
EINECS No. 215-135-2
包装 1kg/瓶
运输危险属性 6.1类危险品
储存条件 真空保存
   产品详情
碲化铋粉介绍

碲化铋粉的晶格常数为1.0473nm,由共价键结合,有一定离子键成分,碲化铋粉是个半导体材料,为间接带隙半导体,室温禁带宽度0.145eV,电子和空穴迁移率分别为0.135和4.4×10-2m2/(V·s),温差电优质系数1.6×10-3/K,为良好的温差材料。具有较好的导电性,采用布里奇曼法、区域熔炼法、直拉法制备。碲化铋粉P型:碲化铋粉掺锑(doped Antimony),碲化铋粉N型:碲化铋粉掺硒(doped Selenium),形成P/N节用于半导体制冷,温差发电等。

碲化铋粉用途

碲化铋粉主要用于形成P/N节用于半导体制冷,碲化铋粉主要用于温差发电等。

碲化铋块
碲化铋块

碲化铋块

分子式 Bi2Te3
分子量 800.76
纯度 99.99%、99.999%
尺寸 1-300mm范围定做
熔点 585℃
掺杂 P型掺杂锑Sb,N型掺杂硒Se
CAS No. 1304-82-1
EINECS No. 215-135-2
包装 袋装
运输危险属性 6.1类危险品
储存条件 密封、防潮防水
   产品详情
碲化铋块介绍

碲化铋块的晶格常数为1.0473nm,由共价键结合,有一定离子键成分,半导体材料,为间接带隙半导体,室温禁带宽度0.145eV,电子和空穴迁移率分别为0.135和4.4×10-2m2/(V·s),温差电优质系数1.6×10-3/K,为良好的温差材料。具有较好的导电性,采用布里奇曼法、区域熔炼法、直拉法制备。碲化铋块P型:碲化铋块掺锑(dopedAntimony),碲化铋块N型:碲化铋块掺硒(doped Selenium),形成P/N节用于半导体制冷,温差发电等。

碲化铋块用途

碲化铋块主要用于形成P/N节用于半导体制冷,碲化铋块主要用于温差发电等。

二硼化钛
二硼化钛

二硼化钛

分子式 TiB2
分子量 69.49
纯度 99.5%
尺寸 块、片、环
熔点 2980℃
沸点 /
CAS No. 12045-63-5
EINECS No. 234-961-4
包装 袋装
运输危险属性 普通产品
储存条件 密封、防潮防水
   产品详情
二硼化钛介绍

二硼化钛(TiB2)是硼和钛最稳定的化合物,为C32型结构,以其价键形式结合,属六方晶系的准金属化合物。其完整晶体的结构参数为:a为0.3028nm,C为0.3228nm。二硼化钛晶体结构中的硼原子面和钛原子面交替出现构成二维网状结构,其中的B与另外3个B以共价键相结合,多余的一个电子形成大π键。这种类似于石墨的硼原子层状结构和Ti外层电子决定了TiB2具有良好的导电性和金属光泽,而硼原子面和钛原子面之间Ti-B键决定了这种材料的高硬度和脆性的特点。熔点是2980℃,有很高的硬度。在空气中抗氧化温度可达1000℃,在HCl和HF酸中稳定。

二硼化钛用途

二硼化钛主要用于制备复合陶瓷制品,可以用于由于其可抗熔融金属的腐蚀,可以用于熔融金属坩锅和电解池电极的制造。可制造精加工刀具、拉丝模、挤压模、喷砂嘴、密封元件等。可以用于可作为多元复合材料的重要组元,与TiC , TiN , SiC 等材料组成复合材料还可以用于制作各种耐高温部件及功能部件,如高温坩埚、引擎部件等。二硼化钛也是制作装甲防护材料的最好材料之一。由于二硼化钛与金属铝液良好的润湿性,用二硼化钛作为铝电解槽阴极涂层材料,二硼化钛可以使铝电解槽的耗电量降低,电解槽寿命延长。二硼化钛制作成 PTC 发热陶瓷材料和柔性PTC 材料,具有安全、省电、可靠、易加工成型等特点,二硼化钛各类电热材料的一种更新换代的高科技产品。二硼化钛也是 A1 、 Fe 、 Cu 等金属材料很好的强化剂。