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氧化铟纳米材料及其复合材料的制备和性能

发布时间:2019-12-04

    氧化物纳米材料作为宽带隙半导体材料具有优越的特性,可用来制造气体传感器、图像记录材料、紫外线遮蔽材料、压敏材料、荧光体、压电材料、高效催化剂、变阻器等,并广泛用于橡胶、陶瓷、日用化工、涂料、磁性材料等方面。如利用纳米氧化物的电阻变化制成气体警报器;利用氧化物半导体光敏理论,纳米氧化物可作高效催化剂,用于降解废水中有机污染物,净化环境。
    氧化铟作为一种优良的宽带隙半导体纳米材料,在室温下就有有良好的导电性。它一般有两种晶系,立方晶系(c-In2O3)和六方晶系(h-In2O3)。其中,立方晶系是较为常见的,在一般条件下即可制得。而六方晶系是属于亚稳态的,通常只有在高温高压下才会存在,同时具有某些特殊的性能。但是六方氧化铟的制备则需要较高的温度或者较大的压力,在常温常压下不容易被制备出来。一般来说,制备立方氧化铟可通过焙烧氢氧化铟(In(OH)3)或 InOOH 前驱体制得。

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